Google researchers hack computers using DRAM electrical leaks

ทีมนักวิจัยของ Google ประสบความสำเร็จในการเขียนโค้ดเพื่อแฮกระบบคอมพิวเตอร์โดยอาศัยช่องโหว่การรบกวนกันของคลื่นไฟฟ้าระหว่างเซลล์ของเมมโมรี่ที่อัดกันแน่นจนเกินไป โดยช่องโหว่นี้คาดว่าส่งผลกระทบต่อเครื่องคอมพิวเตอร์ทุกเครื่องที่ใช้งาน DDR3 DRAM

ทีมวิจัยของ Google ทดสอบช่องโหว่นี้โดยใช้โน๊ตบุ๊ค x86 จำนวน 29 เครื่องที่ผลิตขึ้นระหว่างปี 2010 ถึงปี 2014 และใช้เทคนิคการโจมตี 2 ชุด เรียกว่า “การตอกแถว” (Rowhammering) ในการสร้างสัญญาณไฟฟ้ารบกวนผ่านทางเข้าถึงแถวของเซลล์เมมโมรี่ซ้ำๆ ไปเรื่อยๆ เพื่อให้ค่าไบน่ารี่ของเซลล์ข้างๆ เปลี่ยนจาก 0 ไปเป็น 1 หรือจาก 1 ไปเป็น 0

ผลลัพธ์ที่ได้จากการทดลองโจมตีโน๊ตบุ๊คทั้ง 29 เครื่อง คือ ทุกเครื่องมีช่องโหว่การพลิกบิท และค่าไบนารี่บนเมมโมรี่ถูกแก้ไข นอกจากนี้ โน๊ตบุ๊คทุกเครื่องต่างใช้ DDR3 DRAM เหมือนกัน

ทีมวิจัยของ Google พบว่า ช่องโหว่ดังกล่าวไม่ได้ส่งผลกระทบต่อคอมพิวเตอร์ที่ใช้งาน DDR4 DRAM ซึ่งกำลังจะเข้ามาแทน DDR3 ในปัจจุบัน อย่างไรก็ตาม สาเหตุที่ DDR4 ไม่ได้รับผลกระทบนั้น คาดว่ามาจากการปรับปรุงเพื่อเพิ่มความถูกต้องของการทำงาน มากกว่าการทำให้เมมโมรี่ปลอดภัย

ที่มา : CSO